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分立半导体
TPH7R506NH,L1Q参考图片

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TPH7R506NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
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库存:27,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.2037
3101.85
5,000
¥4.3505
21752.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH7R506NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TMBS 45V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.2659
100:¥5.5709
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,000:¥3.7855
参考库存:12317
分立半导体
MOSFET -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥15.368
10:¥12.7577
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1868
3,000:¥7.1868
参考库存:203439
分立半导体
肖特基二极管与整流器 If 8A Vrrm 120V Ifsm 100A
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
14,000:¥1.3334
参考库存:107641
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:10718
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A Dual SBR 100Vrrm 110Ifsm 0.84
1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,500:¥1.3786
参考库存:11300
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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