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BSM100GB120DLC

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数量单价合计
10
¥999.0782
9990.782
30
¥978.1732
29345.196
50
¥978.0941
48904.705
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DLCHOSA1 SP000100721
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDP8N50NZ
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET UNIFET2 500V
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9777
500:¥5.2884
参考库存:7155
VS-VSKL250-18PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 Input Modules - MAP COMPRESSED
1:¥2,598.3446
参考库存:4492
DD171N12K-A
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 Rectifier Diode Module 1200V 171A
1:¥1,017.0565
5:¥997.0781
10:¥950.5899
25:¥930.6115
参考库存:4499
MBR2060CTG
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 60V
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6048
500:¥4.9607
参考库存:15371
VS-72CPQ030-N3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-247-e3
1:¥37.7307
10:¥31.2784
100:¥25.7414
250:¥24.8939
500:¥22.3627
参考库存:6928

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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