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分立半导体
CGHV40100F参考图片

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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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1
¥2,507.4474
2507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥48.9516
10:¥41.6518
100:¥36.0357
250:¥34.1938
参考库存:6757
分立半导体
MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:34584
分立半导体
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:8431
分立半导体
MOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
1,500:¥7.2433
4,500:查看
参考库存:58423
分立半导体
IGBT 晶体管 Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥7.5371
5,000:查看
参考库存:16425
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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