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分立半导体
TGF2979-SM参考图片

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TGF2979-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
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库存：4,858(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥476.408
476.408
25
¥412.0206
10300.515
100
¥356.3794
35637.94
250
¥331.4064
82851.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
输出功率
22 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
49 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
产品
RF JFET Transistor
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2979-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127378
单位重量
123 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS3H10-M3/57T
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A, 100V HIGH BARRIER SKY RECT
1:¥5.2206
10:¥4.0002
100:¥2.9606
500:¥2.4408
参考库存:37298
SZ1SMA5916BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMA REG 1.5W 4.3V TR
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
5,000:¥1.8306
参考库存:37303
SBR8M100P5Q-13D
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBR Diode
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
5,000:¥1.8645
参考库存:28121
VN0109N3-G P014
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.842
25:¥3.1527
100:¥2.9154
250:¥2.6894
2,000:¥2.6894
参考库存:37310
L6008D6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 8A Sensing 5-5-5-10mA
1:¥12.5204
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0851
1,000:¥5.876
参考库存:37315

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    50万现货SKU

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