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分立半导体
STB10N60M2参考图片

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STB10N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8704
6870.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
13.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB10N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.5 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX453
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:29778
BTA10-600CRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 10 Amp 600 Volt
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.9947
参考库存:8145
IDP40E65D2XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 IGBT PRODUCTS
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
参考库存:6677
APT10M11JVRU3
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
1:¥345.3958
5:¥333.7907
10:¥322.954
25:¥298.6816
参考库存:1949
NVMFD5489NLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,500:¥5.537
4,500:查看
参考库存:9106

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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