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分立半导体
CGHV35150F参考图片

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CGHV35150F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
-
长度
-
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV35150-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 400V 4A Sensing 5-5-5-5mA
1:¥13.0628
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3789
1,000:¥6.1133
参考库存:8619
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A SBR 60Vrrm 0.52Vf 0.22mA
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.03734
10,000:¥0.97632
参考库存:28671
分立半导体
SCR 400V 6A Sensing
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.6501
500:¥6.7574
1,000:¥5.3449
参考库存:3928
分立半导体
整流器 4A, 1000V, SMPC STD, SM Rect
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,500:¥1.4238
4,500:查看
参考库存:18675
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SOT723 BIAS RESISTOR
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.32318
24,000:查看
参考库存:83677
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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