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分立半导体
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QPD1025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
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参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
28 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
22.5 dB
输出功率
1.862 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
685 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 2.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMP5501Y,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
24,000:¥0.70738
45,000:¥0.67574
99,000:¥0.65314
参考库存:51224
VS-85HFLR10S02M
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥167.9745
300:¥154.1433
500:¥146.6853
参考库存:51229
1N5357AE3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:51234
1N3016B-1E3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥64.5456
111:¥64.5456
200:¥59.325
500:¥54.0931
1,000:¥47.0984
参考库存:51239
VBT3080C-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A,80V,TRENCH SKY RECT.
3,000:¥5.7743
5,000:¥5.5596
10,000:¥5.3449
参考库存:51244

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    品类不断扩充

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