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分立半导体
CGHV1F025S参考图片

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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
参考库存:13018
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
参考库存:23415
分立半导体
整流器 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
1:¥22.2045
10:¥18.3625
100:¥15.142
250:¥14.6787
500:¥13.1419
参考库存:5917
分立半导体
MOSFET -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:17254
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A SBR 40Vrrm 0.51Vf 0.5mA 28Vrms
1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:15206
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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