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产品分类

分立半导体
SQ1539EH-T1_GE3参考图片

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SQ1539EH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:368,614(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.9549
195.49
500
¥1.5933
796.65
3,000
¥1.12209
3366.27
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
850 mA
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms, 788 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC, 1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.1 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.2 S, 0.6 S
下降时间
32 ns, 17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 39 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns, 10 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 4 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-VSONP
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6272
参考库存:100364
分立半导体
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:15441
分立半导体
MOSFET SO-8 N-CH 60V
1:¥12.6786
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5371
1,000:¥6.2489
2,500:¥6.2489
参考库存:25118
分立半导体
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥32.1146
10:¥25.7414
100:¥23.4362
500:¥18.984
1,000:¥15.9782
参考库存:6040
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Power Schottky
1:¥418.6198
5:¥396.0311
10:¥391.4998
25:¥362.0746
参考库存:2282
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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