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分立半导体
FZT558TA参考图片

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FZT558TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 400 V
集电极—基极电压 VCBO
- 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT558
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.2 A
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
600:¥91.3605
1,020:¥83.8347
参考库存:35184
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TO-252 SiC Schottky
2,500:¥12.3735
5,000:¥11.30
参考库存:35189
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
暂无价格
参考库存:35194
分立半导体
稳压二极管 1.0W 43V 10%
10,000:¥0.99892
20,000:¥0.7684
50,000:¥0.63054
参考库存:35199
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8704
参考库存:9380
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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