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分立半导体
CSD13201W10参考图片

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CSD13201W10

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:153,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
34 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1 mm
系列
CSD13201W10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.4 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
单位重量
1.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45Vrrm 10A 0.55Vf 0.38mA SBR PowerDI5
1:¥3.842
10:¥3.1527
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
5,000:¥1.2656
参考库存:37719
分立半导体
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥5.6048
5,000:¥5.1867
参考库存:37724
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
4,000:¥0.46104
8,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:37729
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
4,000:¥0.46104
8,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:37734
分立半导体
双向可控硅 RAIL TRIAC
1:¥4.7686
10:¥3.8081
100:¥2.4521
1,000:¥1.9662
参考库存:37739
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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