您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
FGB5N60UNDF参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FGB5N60UNDF

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:12,301(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
800
¥6.78
5424
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
73.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB5N60UNDF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 300 Volt 8.0A 35ns 110 Amp IFSM
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0116
500:¥5.1754
800:¥4.5313
参考库存:45580
分立半导体
整流器 200 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥9.9101
10:¥8.2264
100:¥6.2602
500:¥5.3901
1,000:¥4.7234
参考库存:45585
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.9323
参考库存:45595
分立半导体
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
3,000:¥5.2771
6,000:查看
参考库存:45600
分立半导体
整流器 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.0002
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
1,500:¥1.01474
4,500:查看
参考库存:45605
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:17080955875

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

17080955875

微信联系我们 微信扫码联系我们