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分立半导体
SI2338DS-T1-GE3参考图片

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SI2338DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存：35,643(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.373
237.3
500
¥1.9549
977.45
1,000
¥1.5029
1502.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
SI2338DS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SB360-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 60 Volt 120 Amp IFSM
1:¥3.3787
10:¥2.5651
100:¥1.9097
500:¥1.5707
1,400:¥1.2091
参考库存:41773
FDP86363-F085
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:6000
SPD04P10P G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
1:¥5.8421
10:¥4.9042
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.1357
参考库存:13342
M505032
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 SCR MODULE 240VAC 50ADC 600VP
1:¥769.1684
10:¥732.5112
25:¥715.9228
50:¥699.244
参考库存:4319
1SMB5926BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 11V 3W
1:¥3.4578
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
2,500:¥0.72998
参考库存:39191

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    50万现货SKU

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