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分立半导体
SIR836DP-T1-GE3参考图片

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SIR836DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:205,588(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
3,000
¥3.2318
9695.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SIR836DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 4.52V 150mW FLT LD 0.8x1.6mm
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.56048
500:¥0.42262
3,000:¥0.25312
9,000:查看
参考库存:6558
分立半导体
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
1:¥28.815
10:¥24.4306
100:¥21.2101
250:¥20.1366
500:¥18.0574
参考库存:2505
分立半导体
稳压二极管 40W SNGL 200mA 6.33V Single Zener diodes
1:¥2.7685
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:16092
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.1471
10:¥3.1979
100:¥2.373
500:¥1.9549
1,500:¥1.3786
4,500:查看
参考库存:24879
分立半导体
整流器 600 Volt 292 Amp Common Cathode
1:¥427.1513
5:¥419.3204
10:¥402.0314
25:¥389.4206
参考库存:1111
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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