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分立半导体
SIR836DP-T1-GE3参考图片

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SIR836DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:205,588(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
3,000
¥3.2318
9695.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SIR836DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
1:¥23.9786
10:¥20.3626
100:¥17.6732
250:¥16.7466
1,500:¥12.0684
4,500:查看
参考库存:22716
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:39514
分立半导体
整流器 1000 Volt 40 Amp
1:¥66.2406
10:¥59.6301
50:¥54.3304
100:¥49.0194
参考库存:39519
分立半导体
整流器 6A 200V ULTRASOFT
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
参考库存:21228
分立半导体
稳压二极管 500mW Zener Diode 20mA 3.42 to 3.78V
3,000:¥0.66896
9,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
99,000:¥0.56839
参考库存:262730
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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