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分立半导体
SIR836DP-T1-GE3参考图片

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SIR836DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:205,588(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
3,000
¥3.2318
9695.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SIR836DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 4.3Volt 0.3 Watt 5% AUTO
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:39649
分立半导体
肖特基二极管与整流器 70 Volt 200mA Single AUTO
1:¥3.2996
10:¥1.8645
100:¥0.99892
500:¥0.79891
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:56812
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:39656
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:39661
分立半导体
稳压二极管 3.0 Volt 0.5W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:81824
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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