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分立半导体
DMN2990UDJ-7参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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DMN2990UDJ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K
  • 数据手册下载
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库存:67,960(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.95259
952.59
2,500
¥0.82264
2056.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
450 mA
Rds On-漏源导通电阻
990 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2990
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
4 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
1:¥4.5313
10:¥3.277
100:¥1.9323
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.70738
参考库存:818250
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:7262
分立半导体
整流器 Ultra Fast 200V 1A
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:75509
分立半导体
MOSFET Mosfet2.5ohmsTrench9 AEC-Q101 qualified
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6218
500:¥5.8421
参考库存:13831
分立半导体
桥式整流器 0.5 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥2.2713
500:¥1.6724
3,000:¥1.1413
9,000:查看
参考库存:14558
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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