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分立半导体
DMN3730UFB4-7参考图片

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DMN3730UFB4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
3,000
¥1.9662
5898.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
730 mA
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
690 mW
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN37
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
40 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
15 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMZ5.6KFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 755-EDZVFHT2R5.6B
3,000:¥0.41471
参考库存:45962
FS150RE12KE3G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块
4:¥2,417.9288
8:¥2,359.7564
12:¥2,301.132
28:¥2,268.927
参考库存:45967
VS-41HF140
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1400 Volt 40 Amp
100:¥80.1396
200:¥73.0771
500:¥68.3876
1,000:¥62.7037
参考库存:45972
MMBZ5236B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 SOT23 Zener 300mW 7.5 V
18,000:¥0.23843
参考库存:45977
FF300R12ME3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 500A
10:¥1,012.9772
30:¥991.6993
参考库存:45982

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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