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分立半导体
SI2318DS-T1-E3参考图片

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SI2318DS-T1-E3

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库存:369,956(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.373
237.3
500
¥1.9549
977.45
3,000
¥1.3786
4135.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI2318DS-T1
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 High Effecientcy Rectifier
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9269
1,000:¥5.7404
参考库存:48834
分立半导体
肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-V20PW60C-M3/I
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.1642
500:¥6.1585
1,000:¥5.8421
2,500:¥5.4127
参考库存:30326
分立半导体
MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
4,000:¥5.763
参考库存:21393
分立半导体
SCR 12 Amp 600 Volt
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
参考库存:168700
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:90567
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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