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分立半导体
IPD350N06L G参考图片

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IPD350N06L G

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库存:8,227(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.1867
51.867
100
¥3.3448
334.48
1,000
¥2.6781
2678.1
2,500
¥2.26
5650
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD350N06LGBTMA1 IPD35N6LGXT SP000443746
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.2152
10:¥8.3733
100:¥6.4184
500:¥5.5257
1,000:¥4.3618
3,000:¥4.3618
参考库存:11436
分立半导体
IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
1,000:¥4.2601
参考库存:13783
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.5W 3.9V
1:¥2.9154
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:81630
分立半导体
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
4,000:¥1.4012
参考库存:21937
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:46489
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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