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分立半导体
2N7002A-7参考图片

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2N7002A-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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库存:237,849(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7002
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 Trenchstop 5 IGBT
1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
500:¥17.7523
参考库存:4409
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:28436
分立半导体
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥8.5315
10:¥7.5484
100:¥5.9664
500:¥4.6217
3,000:¥3.3109
6,000:查看
参考库存:12598
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TMBS 45V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
1:¥9.9892
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.4127
1,000:¥4.2601
2,000:¥4.2601
参考库存:17540
分立半导体
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
1:¥8.2264
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.4974
3,000:¥4.4974
参考库存:31617
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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