SI1553CDL-T1-GE3原装正品_库存数量_PDF手册

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Id-连续漏极电流	700 mA, 500 mA
Rds On-漏源导通电阻	390 mOhms, 850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	600 mV
Vgs - 栅极-源极电压	12 V
Qg-栅极电荷	1.8 nC, 3 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	340 mW
配置	Dual
通道模式	Enhancement
商标名	TrenchFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	SI1
晶体管类型	1 N-Channel, 1 P-Channel
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	1.5 S, 0.8 S
下降时间	13 ns, 8 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	22 ns, 15 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns, 12 ns
典型接通延迟时间	16 ns, 15 ns
零件号别名	SI1553DL-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3-S SI1563DH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE3
单位重量	28 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
1N741A	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Voltage Regulator	1:¥23.6622 10:¥18.984 100:¥17.289 250:¥15.594	参考库存:5422
AUIRF1010ZL	Infineon / IR	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms	1:¥19.6733 10:¥16.6788 100:¥13.3679 500:¥11.6842	参考库存:4959
BCR 555 E6327	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR	1:¥2.6894 10:¥1.8419 100:¥0.7684 1,000:¥0.52206 3,000:¥0.4068	参考库存:72001
1N4751A-TP	Micro Commercial Components (MCC)	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 1.0W 30V 1.2Vf 5uA 22.8 Vr 150 mA	1:¥2.0792 10:¥1.356 100:¥0.66105 1,000:¥0.3842 5,000:¥0.29154	参考库存:49023
DD89N16K	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	分立半导体模块 1600V 140A	1:¥763.1003 5:¥749.0318 10:¥715.3804 25:¥691.4809	参考库存:3270