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分立半导体
BSS138BKW,115参考图片

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BSS138BKW,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 60 V 320 mA
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.8532
18.532
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.52997
529.97
3,000
¥0.41471
1244.13
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
480 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS138BKW
晶体管类型
1 N-Channel Trench MOSFET
商标
Nexperia
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CD214B-R3100
Bourns
分立半导体
整流器 GLASS PASS RECTIFIER 100VOLT
12,000:¥0.69947
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.5763
参考库存:25404
BZG04-18-HM3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.4012
12,000:¥1.3108
24,000:¥1.243
参考库存:25409
BZG03B160-M3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5029
12,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
参考库存:25414
FZ2400R12HE4_B9
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 2400A
1:¥7,081.9586
5:¥6,968.6987
参考库存:25419
PTV20B-M3/85A
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 1.5watt 20volt
10,000:¥0.78422
20,000:¥0.71416
参考库存:25424

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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