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产品分类

分立半导体
SI2316BDS-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI2316BDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
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库存:114,417(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.8024
280.24
500
¥2.3052
1152.6
1,000
¥1.8419
1841.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
零件号别名
SI2316BDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 62 Volt 0.2W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:40956
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:40961
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:40966
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.5W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
2,500:¥0.35369
5,000:查看
参考库存:40971
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3843
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:80393
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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