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分立半导体
APT75GP120B2G参考图片

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APT75GP120B2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥196.6313
196.6313
5
¥187.7947
938.9735
10
¥181.9526
1819.526
25
¥167.2061
4180.1525
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
1.042 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SK515BHR5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
3,400:¥1.7854
4,250:¥1.7176
参考库存:45731
UGF8J C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 8A 600V STD G/PASS ULTRAFAST RECTIFIER
2,000:¥2.9154
参考库存:45736
CMDZ5258B BK
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 250mW 5% Tolerance Zener Single Diode
10,000:¥0.66896
30,000:¥0.61472
50,000:¥0.59212
100,000:¥0.56839
参考库存:45741
RSFALHR2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 0,5A, 50V, SMF FAST RECOVERY
15,000:¥0.49946
22,500:¥0.45313
45,000:¥0.40002
97,500:¥0.37629
参考库存:45746
SFF508G C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 5A,600V,GLASS Pass Superfast,DUAL Rect
2,000:¥2.825
参考库存:45751

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    50万现货SKU

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