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分立半导体
APT75GP120B2G参考图片

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APT75GP120B2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥196.6313
196.6313
5
¥187.7947
938.9735
10
¥181.9526
1819.526
25
¥167.2061
4180.1525
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
1.042 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX584C9V1-V-G-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
3,000:¥0.49155
6,000:查看
参考库存:41078
BZX384B30-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:41083
MMSZ5257B-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:41088
MMSZ5244C-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 14 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:41093
NRVHPRS1KFA
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 SR SOD123FA PN 0.8A 800V
1:¥2.9945
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.791
参考库存:41098

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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