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分立半导体
APT75GP120B2G参考图片

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APT75GP120B2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥196.6313
196.6313
5
¥187.7947
938.9735
10
¥181.9526
1819.526
25
¥167.2061
4180.1525
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
1.042 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
K1300S1URP
Littelfuse
分立半导体
高压触发二极管 130V DO-214AC 2L
1:¥7.1416
10:¥5.537
100:¥4.1923
500:¥3.5708
1,000:¥2.8589
5,000:¥2.8589
参考库存:47630
1N4742AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥4.5991
10,000:¥4.5087
参考库存:47635
1N6620E3
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥78.6819
250:¥71.7663
500:¥67.0768
1,000:¥61.5511
参考库存:47640
BZD17C9V1P-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219 ECO-E3
30,000:¥0.99892
参考库存:47645
VS-25ETS08STRL-M3
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
800:¥9.831
1,600:¥8.1473
参考库存:47650

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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