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分立半导体
APT75GP120B2G参考图片

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APT75GP120B2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥196.6313
196.6313
5
¥187.7947
938.9735
10
¥181.9526
1819.526
25
¥167.2061
4180.1525
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
1.042 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1K50H-TF2
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥9,605.00
参考库存:4929
PMV30XPEAR
Nexperia
分立半导体
MOSFET PMV30XPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
参考库存:271021
SIHD5N50D-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥9.605
10:¥7.91
100:¥6.0907
500:¥5.2319
3,000:¥4.2375
6,000:查看
参考库存:17298
MML4401-GM2
Microsemi
分立半导体
PIN 二极管 Fast SMT MRI Protect PIN Diode 10ns
1:¥39.7986
10:¥31.9677
100:¥29.1201
250:¥26.2838
1,000:¥19.8993
2,000:查看
参考库存:19910
IRF7780MTRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 75V, 89A, DirectFET 5.7mOhm, 124nC Og
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
4,800:¥8.2264
9,600:查看
参考库存:29902

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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