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分立半导体
PD55003-E参考图片

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PD55003-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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库存:2,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥96.5133
96.5133
10
¥88.7502
887.502
25
¥85.0664
2126.66
100
¥74.919
7491.9
250
¥71.2352
17808.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.0A 30V
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:28689
分立半导体
整流器 DIODE 100V 2A DO-214AC
1:¥4.0002
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.08367
5,000:¥0.69156
10,000:查看
参考库存:31221
分立半导体
整流器 1200V 70A Std. Recovery
1:¥102.5023
10:¥93.2024
20:¥86.219
50:¥81.6086
参考库存:2358
分立半导体
MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:62220
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 1A, 60V
1:¥3.0736
10:¥1.695
100:¥0.72998
1,000:¥0.56048
5,000:¥0.43053
参考库存:27937
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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