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分立半导体
STP80NF55L-06参考图片

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STP80NF55L-06

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
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库存:6,204(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.9729
22.9729
10
¥19.5151
195.151
100
¥16.9048
1690.48
250
¥16.0573
4014.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP80NF55L-06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
135 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,50V,50NS,UF RECT
11,000:¥0.72998
27,500:¥0.66896
参考库存:31455
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12A, 45V,TRENCH SKY RECT.
6,500:¥2.3843
13,000:¥2.3052
19,500:¥2.2148
参考库存:31460
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:364851
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
10,000:¥0.43844
20,000:¥0.4068
50,000:¥0.3616
100,000:¥0.35369
参考库存:31467
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
250:¥775.9258
参考库存:31472
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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