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分立半导体
IKW40N120T2参考图片

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IKW40N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
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库存:25,457(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.1558
65.1558
10
¥58.9408
589.408
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥48.7934
4879.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
480 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N120T2FKSA1 IKW4N12T2XK SP000244962
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 0.15W, VZ=9.1V
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.92999
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:41387
分立半导体
稳压二极管 0.125W, VR=7.5V
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.80682
1,000:¥0.50737
5,000:¥0.3842
参考库存:41392
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
3,000:¥0.30736
9,000:¥0.26894
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.23052
99,000:¥0.20792
参考库存:41397
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,30V, AXIAL,SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥2.6103
10:¥2.3843
100:¥1.356
1,000:¥0.49155
5,000:¥0.43844
参考库存:41402
分立半导体
整流器 3A, 100V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥2.9945
100:¥2.034
500:¥1.4012
3,000:¥0.9379
9,000:查看
参考库存:41407
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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