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分立半导体
SIHP15N60E-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHP15N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
  • 数据手册下载
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库存:16,750(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.7469
22.7469
10
¥18.9049
189.049
100
¥15.5262
1552.62
250
¥15.0629
3765.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
参考库存:33038
分立半导体
MOSFET LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:14490
分立半导体
MOSFET 100V, 40 MOHMS@4.5V
1:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
3,000:¥8.4524
参考库存:36722
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
1:¥50.4884
10:¥45.6407
25:¥43.4937
100:¥37.7307
参考库存:27349
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-89 3A 200 to 500hFE 30V
1:¥3.6838
10:¥3.0284
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
参考库存:13696
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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