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分立半导体
IGP30N60H3参考图片

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IGP30N60H3

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库存:5,988(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP30N60H3XKSA1 IGP3N6H3XK SP000702546
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
参考库存:55246
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SuperSOT
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:36023
分立半导体
JFET SS JFET NCH 30V TR
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
2,500:¥0.77631
10,000:¥0.72998
参考库存:146055
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:494372
分立半导体
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.08367
参考库存:162004
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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