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分立半导体
SI7998DP-T1-GE3参考图片

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SI7998DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:12,692(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.7235
3361.75
3,000
¥6.7235
20170.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms, 5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC, 48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
22 W, 40 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S, 71 S
下降时间
10 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 26 ns
零件号别名
SI7998DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 IGBT PRODUCTS
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:4798
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 300MA
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3165
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.5707
参考库存:12640
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.2827
参考库存:32952
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Power Schottky REC 30A 60V VRRM 0.385VF
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
3,000:¥7.571
6,000:查看
参考库存:30729
分立半导体
MOSFET N-channel 75 V
1:¥41.6518
10:¥35.3464
100:¥30.6569
250:¥29.1201
600:¥26.1256
参考库存:11536
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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