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分立半导体
STGW60H60DLFB参考图片

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STGW60H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,189.7092
参考库存:34487
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥7.8422
6,000:¥7.571
9,000:¥6.9947
参考库存:34492
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥784.8415
参考库存:34497
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
100:¥877.8179
参考库存:34502
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 20W 6%
12,500:¥4.0341
参考库存:34507
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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