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分立半导体
IPT020N10N3参考图片

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IPT020N10N3

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库存:10,628(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.0986
51.0986
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.194
3819.4
2,000
¥28.9732
57946.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
125 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPT020N10N3ATMA1 SP001100160
单位重量
65 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR Sen SCR 800V .8A 200uA
1:¥5.1528
10:¥3.8081
100:¥2.7459
500:¥2.3956
2,000:¥1.5255
10,000:查看
参考库存:12569
分立半导体
整流器 400V 8A Ultrafast
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9269
800:¥5.4805
参考库存:8671
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥27.2782
10:¥23.2102
100:¥20.0575
250:¥19.0518
参考库存:5643
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:10765
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
500:¥7.5145
1,000:¥6.2263
参考库存:3657
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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