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分立半导体
APT25GT120BRDQ2G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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APT25GT120BRDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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库存:4,554(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.077
71.077
10
¥63.9354
639.354
25
¥58.2402
1456.005
100
¥52.5563
5255.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
347 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,600V, Super Fast Recovery 整流器,SOD-123FL Package
1:¥4.0002
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.08367
2,500:¥0.69156
10,000:查看
参考库存:22574
分立半导体
JFET JFET N-Channel
1:¥35.9566
10:¥28.9732
100:¥23.7413
500:¥21.357
参考库存:3963
分立半导体
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-883 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
60,000:¥0.46895
100,000:查看
参考库存:39995
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥283.0763
5:¥272.0136
10:¥261.7984
25:¥240.5883
参考库存:3192
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP .3W
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:20384
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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