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分立半导体
IPD35N10S3L26ATMA1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPD35N10S3L26ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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库存:4,071(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.5879
65.879
100
¥5.0624
506.24
500
¥4.4748
2237.4
2,500
¥3.1301
7825.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD35N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD35N10S3L-26 IPD35N1S3L26XT SP000386184
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
500:¥7.5597
1,000:¥6.2602
参考库存:47840
分立半导体
SCR模块 1400 Volt 27 Amp 420 Amp IFSM
1:¥316.8068
5:¥308.4335
10:¥296.4442
25:¥274.1606
参考库存:47845
分立半导体
稳压二极管 350mW ZENER
3,000:¥0.4068
9,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.26894
参考库存:47850
分立半导体
整流器 50 Amp 1600 Volt 830 Amp IFSM
1:¥50.172
10:¥45.1774
50:¥41.1885
100:¥37.1092
参考库存:47855
分立半导体
分立半导体模块 800volt 250amp
1:¥1,185.031
5:¥1,156.5211
10:¥1,127.7852
25:¥1,111.9539
参考库存:47860
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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