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分立半导体
IRF7855TRPBF参考图片

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IRF7855TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
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库存：19,916(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.6274
5627.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
7.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
8.7 ns
零件号别名
SP001555708
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FK8V03050L
Panasonic
分立半导体
MOSFET Nch MOS FET
1:¥7.8422
10:¥6.0681
100:¥5.3223
500:¥4.7573
1,000:¥3.1414
3,000:¥3.1414
参考库存:19467
BULD118D-1
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PTD HIGH VOLTAGE
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
参考库存:19369
FF150R17KE4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 150A 1700V
1:¥887.8071
5:¥871.5238
10:¥832.2563
25:¥804.5148
参考库存:4526
IDW16G65C5XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥55.3248
10:¥50.0251
25:¥47.6408
100:¥41.4145
参考库存:5623
FDG6322C
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89157
参考库存:19215

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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