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分立半导体
IKW25N120T2参考图片

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IKW25N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
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数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
1:¥28.2048
10:¥23.9786
100:¥20.8259
250:¥19.7524
800:¥14.9047
2,400:查看
参考库存:8146
分立半导体
MOSFET 150V 90A N-Chan Power Trench
1:¥43.0304
10:¥36.5781
100:¥31.7304
250:¥30.1258
500:¥26.9731
参考库存:5633
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 300V
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:13170
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode
1:¥3.616
10:¥2.6555
100:¥1.5255
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
8,000:¥0.89157
参考库存:41937
分立半导体
SCR模块 1600V 120A DUAL
1:¥781.847
5:¥767.4734
10:¥732.8954
25:¥708.4648
参考库存:4574
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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