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分立半导体
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BSS225 H6327

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库存：59,604(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
2,000
¥1.469
2938
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
90 mA
Rds On-漏源导通电阻
28 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS225
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 mS
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSS225H6327FTSA1 SP001047644
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5946B G
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥38.646
10:¥31.0411
25:¥30.51
100:¥28.3517
参考库存:5040
IPD60R2K0C6ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥5.8421
10:¥4.859
100:¥3.1414
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.5086
参考库存:13852
V8PAM10HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 If 8A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
1:¥4.6104
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
14,000:¥1.4012
参考库存:31709
TSM061NA03CV RGG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm
1:¥10.4525
10:¥9.2999
100:¥7.3224
500:¥5.6839
5,000:¥3.8533
10,000:查看
参考库存:2076
STGW20V60F
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:4453

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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