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分立半导体
STP18NM60N参考图片

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STP18NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
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库存:13,953(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.7632
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP18NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 327A 1.7mOhm 108nC TO221
1:¥37.2674
10:¥31.6626
100:¥27.4364
250:¥26.0465
500:¥23.3571
参考库存:5382
分立半导体
达林顿晶体管 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
5,000:¥1.5368
参考库存:16844
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥19.1309
10:¥16.2155
100:¥12.9837
500:¥11.3678
参考库存:3436
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:11168
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 75V NPN
1:¥3.1527
10:¥2.2148
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
4,000:¥0.66896
参考库存:144350
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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