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分立半导体
CSD19502Q5B参考图片

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CSD19502Q5B

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 3.4mOhm 80V Power MOSFET
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库存:4,578(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.6732
17.6732
10
¥15.0629
150.629
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.5316
5265.8
2,500
¥8.0682
20170.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19502Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
88 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
134.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 50V
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
参考库存:24488
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1258
250:¥28.589
450:¥25.6623
参考库存:3645
分立半导体
MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
1:¥6.3732
10:¥5.4127
100:¥4.1584
500:¥3.6725
2,500:¥2.5764
10,000:查看
参考库存:18222
分立半导体
MOSFET 500V N-CH MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
800:¥7.7631
参考库存:7229
分立半导体
变容二极管 TAPE-7 DIO-RFSS
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:19346
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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