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分立半导体
SIHG73N60E-GE3参考图片

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SIHG73N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:7,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥106.7285
106.7285
10
¥96.9766
969.766
25
¥90.6712
2266.78
50
¥86.1399
4306.995
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
241 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
290 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:46221
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V VR 1A 0.53V VF PMDTM; SOD-128
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:19623
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥52.5563
10:¥47.4826
25:¥45.3356
100:¥39.3466
参考库存:3240
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V VR 2A 0.55V VF PMDTM; SOD-128
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
参考库存:12097
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.3789
10:¥6.0342
100:¥4.633
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:30549
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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