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分立半导体
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UF2840G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
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¥1,104.4959
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
40 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
319-07
封装
Tray
配置
Single
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
116 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX384C62-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 62 Volt 0.2W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:40956
MMSZ5266B-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:40961
RN1901,LF(CT
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:40966
BZM55B68-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.5W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
2,500:¥0.35369
5,000:查看
参考库存:40971
BZX384C6V2-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3843
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:80393

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