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分立半导体
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IPD50N08S4-13

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库存：12,315(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3845
63.845
100
¥4.9042
490.42
500
¥4.3392
2169.6
2,500
¥3.0397
7599.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
11.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD50N08
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
IPD50N08S413ATMA1 SP000988948
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3611
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥42.4202
100:¥38.2618
参考库存:3153
QPD1004SR
Qorvo
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
1:¥615.4884
25:¥543.869
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:2745
BR62
Rectron
分立半导体
桥式整流器 6A 200V
1:¥6.6896
100:¥5.763
500:¥4.7234
1,000:¥4.1697
参考库存:4762
BZV55C6V8-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 6.8V 150Ohms
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
2,500:¥0.43844
10,000:查看
参考库存:11129
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT - 650V/50A/TO-247A
1:¥60.7827
10:¥54.6355
25:¥49.7878
50:¥46.1831
参考库存:42260

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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