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分立半导体
STGP10NB60S参考图片

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STGP10NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
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库存:7,736(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
80 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NB60S
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
10 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
参考库存:38218
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
1:¥3,621.9325
10:¥3,565.9184
参考库存:3655
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:7562
分立半导体
桥式整流器 Low VF 4A 600V
1:¥8.4524
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
3,000:¥3.1979
9,000:查看
参考库存:60394
分立半导体
达林顿晶体管 Darlington
1:¥5.537
10:¥4.6104
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
参考库存:56071
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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