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分立半导体
IPB80P04P4L-06参考图片

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IPB80P04P4L-06

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:8,095(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.7065
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
104 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPB80P04P4L06ATMA1 IPB8P4P4L6XT SP000842046
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
1:¥6.7574
10:¥5.6726
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
3,000:¥2.9267
参考库存:4145
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Low Drop Power Schottky Rectifier
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:372712
分立半导体
整流器 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L
1:¥23.7413
10:¥19.6733
100:¥16.2155
250:¥15.6731
500:¥14.0572
参考库存:5629
分立半导体
MOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:16661
分立半导体
分立半导体模块 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥4,149.586
5:¥3,899.5509
参考库存:3098
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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