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分立半导体
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TGF2025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
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数量单价合计
100
¥46.8724
4687.24
300
¥43.7988
13139.64
500
¥40.9512
20475.6
1,000
¥38.2618
38261.8
2,500
¥35.9566
89891.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
81 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
890 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
97 mS
NF—噪声系数
0.9 dB
P1dB - 压缩点
24 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098611
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAR43AFILM
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100mA 30 Volt
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:161656
IRFSL11N50APBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:6333
T1190N18TOF VT
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 1800V 1190A
1:¥1,924.1527
5:¥1,877.8905
10:¥1,831.2554
25:¥1,805.5818
参考库存:3455
1SMB5953BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 150V 3W
1:¥3.4578
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
2,500:¥0.72998
参考库存:94877
BTA08-700BRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 8 Amp 700 Volt
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2885
500:¥6.441
参考库存:7104

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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