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分立半导体
IPP045N10N3 G参考图片

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IPP045N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:4,777(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
1,000
¥9.605
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPP045N10N3GXKSA1 IPP45N1N3GXK SP000680794
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
1:¥23.278
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5996
参考库存:27065
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600V Vrm 5A Io Std Fast Rec Diode
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,000:¥4.3166
2,500:¥4.0341
参考库存:27070
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥515.8224
2:¥506.2965
5:¥500.5335
10:¥485.4028
参考库存:27075
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPC60PBF
1:¥137.6227
10:¥125.091
25:¥115.8024
50:¥109.497
参考库存:27080
分立半导体
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥25.2781
10:¥21.4361
100:¥18.5998
250:¥17.6732
参考库存:27085
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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