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分立半导体
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)参考图片

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.2998
72.998
100
¥5.6048
560.48
500
¥4.9946
2497.3
2,000
¥3.4578
6915.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
104 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TJ8S06M3L
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
5,000:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:78595
FCA76N60N
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SUPREMOS 76A IN TO3P
1:¥116.4917
10:¥107.1127
25:¥102.6605
100:¥90.4452
参考库存:7122
IRFR4104TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
2,000:¥5.8534
参考库存:18939
BTA26-600BWRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 25 Amp 600 Volt
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:7836
STF19NM50N
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.3626
250:¥19.2891
参考库存:7558

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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