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分立半导体
TP2104N3-G参考图片

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TP2104N3-G

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库存:17,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥4.52
45.2
25
¥3.7177
92.9425
100
¥3.4013
340.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
175 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
150 mmho
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW PLZ Zener MicroSMF (DO-219AC)
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
4,500:¥0.32318
9,000:查看
参考库存:112511
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 35.36-37.19V Ippm 57.4V Max
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:42757
分立半导体
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:16488
分立半导体
IGBT 晶体管 Ic 100A Vce(On)1.16V Half Brdge Trench PT
1:¥625.3985
5:¥613.1041
10:¥587.4418
25:¥568.4578
参考库存:2680
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 32.14-33.79V AEC-Q101 Qualified
4,500:¥0.28476
22,500:¥0.28476
参考库存:42766
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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