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分立半导体
FCH110N65F-F155参考图片

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FCH110N65F-F155

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库存：6,333(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.9622
34.9622
10
¥29.7416
297.416
100
¥25.7414
2574.14
250
¥24.4306
6107.65
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FCH110N65F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
FCH110N65F_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.7065
800:¥4.4974
参考库存:50104
FDBL86063-F085
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
1:¥31.3462
10:¥26.668
100:¥23.1311
250:¥21.8994
2,000:¥15.7522
4,000:查看
参考库存:10950
FD900R12IP4D
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 900A
1:¥3,547.7028
5:¥3,333.8616
参考库存:41818
QJ6004D3TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 4A 400v Std 双向可控硅 TO-252 D-PAK
1:¥12.0684
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8026
1,000:¥5.6387
参考库存:41823
IRF6716MTRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
4,800:¥7.7631
9,600:查看
参考库存:41828

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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