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分立半导体
IPI032N06N3 G参考图片

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IPI032N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3
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库存：8,077(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.2099
172.099
100
¥13.7521
1375.21
500
¥12.0684
6034.2
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
165 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPI032N06N3GAKSA1 IPI32N6N3GXK SP000680650
单位重量
2.387 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N980D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥77.3824
102:¥77.3824
200:¥71.077
500:¥64.7716
1,000:¥56.4774
参考库存:44850
JANTXV1N4128-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥84.8291
170:¥84.8291
200:¥77.3033
500:¥72.3878
1,000:¥66.3875
参考库存:44855
CDLL4707/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥44.2621
161:¥44.2621
200:¥40.6461
500:¥37.1092
1,000:¥32.2728
参考库存:44860
1N5276BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥40.567
176:¥40.567
200:¥37.2674
500:¥33.9678
1,000:¥29.5834
参考库存:44865
JANTX1N976BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥69.9244
112:¥69.9244
200:¥64.2405
500:¥58.6244
1,000:¥51.0195
参考库存:44870

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    50万现货SKU

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