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分立半导体
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FQN1N50CTA

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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8985
38.985
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.8419
1841.9
2,000
¥1.5707
3141.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
380 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
890 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Ammo Pack
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FQN1N50C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.6 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
240 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
V30DM120-M3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8365
500:¥5.876
1,000:¥4.6443
2,000:¥4.6443
参考库存:14705
2N4407
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar 80V PNP 2.0A 8.75W 50pF Trans
1:¥47.9459
10:¥42.8044
100:¥39.0302
250:¥35.1882
参考库存:6997
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥88.9084
10:¥80.2978
25:¥76.614
100:¥66.5457
参考库存:7144
CSD18543Q3A
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 60V N CH MOSFET
1:¥6.7574
10:¥5.6839
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.6442
参考库存:142581
SQJ456EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥40.6461
10:¥33.7305
100:¥27.7415
250:¥26.894
500:¥24.1255
3,000:¥24.1255
参考库存:9128

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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